به‌نظر می‌رسد سامسونگ برای تولید اولین تراشه‌های مبتنی‌بر نود پردازشی ۳GAE سراغ ساخت تراشه‌ی ای‌سیک برای استخراج رمزارز رفته است.
*** رقابت سامسونگ با اینتل و TSMC
به گزارش پژواک، سامسونگ اوایل سال جاری میلادی گفت که تولید انبوه تراشه‌های کلاس سه نانومتری را بر پایه‌ی فناوری ۳GAE شروع کرده است، اما نگفت که با استفاده از این فناوری سراغ تولید چه نوع تراشه‌ای رفته است. آن‌طور که تامز هاردور می‌نویسد، ظاهراً سامسونگ از ۳GAE برای تولید تراشه‌ی ای‌سیک (مدار مجتمع با کاربرد خاص) به‌منظور استخراج رمزارز استفاده کرده است.
فناوری ساخت ۳GAE سامسونگ اولین لیتوگرافی صنعت تراشه است که بر ترانزیستورهای جدید GAA اتکا می‌کند (سامسونگ نسخه‌ی اختصاصی خود از این ترانزیستورها را MBCFET می‌نامد). معماری GAA مقدار جریان نشتی را کاهش می‌دهد، چون گیتِ ترانزیستور در تمامی چهار طرفش توسط کانال پوشش داده می‌شود. این معماری دست‌کاری عملکرد ترانزیستور و مصرف انرژی آن را ازطریق تنظیم ضخامت کانال امکان‌پذیر می‌کند.
ترانزیستورهای GAAFET برای پردازش‌های سنگین و همچنین ساخت پردازنده‌های کلاس لپ تاپ بسیار مفیدند و به همین دلیل است که شرکت‌هایی مثل اینتل و TSMC سخت در تلاشند تا از این ترانزیستورها در سال ۲۰۲۴ یا ۲۰۲۵ استفاده کنند.
برخلاف آنچه تصور می‌شد، ظاهراً اولین تراشه‌ی تجاری مبتنی‌بر ترانزیستور GAAFET یک ای‌سیک رمزارز است. به ادعای یکی از تحلیلگران مؤسسه‌ی ترندفورس، سامسونگ از سال آینده از فناوری ۳GAE برای تولید تراشه‌ی گوشی‌های هوشمند استفاده خواهد کرد.
تراشه‌های مربوط به استخراج رمزارز گزینه‌ی بسیار خوبی برای شروع استفاده از فناوری‌های تولیدی جدید به‌حساب می‌آیند، چون تراشه‌هایی نسبتاً ساده هستند و ساختارهای مشابه فراوانی دارند. این نوع طراحی باعث می‌شود که بتوان در تولید تراشه‌های موردبحث به بازدهی بالایی دست پیدا کرد.
در مقایسه، تراشه‌های موبایلی تعداد بسیار زیادی قطعات متفاوت دارند و این قطعات از ترانزیستورهای متفاوتی استفاده می‌کنند. سامسونگ ازطریق تولید تراشه‌ی ای‌سیک در تلاش است دانسته‌هایش درباره‌ی قدرت پردازشی و مصرف انرژی نود ۳GAE را بیشتر کند. شرکت SMIC نیز برای آزمودن لیتوگرافی هفت نانومتری خود در ابتدا تراشه‌ی ای‌سیک تولید کرد.
انتهای پیام///
برای نوشتن دیدگاه باید وارد بشوید.